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结合PFM结果,瞎折这种滞回和跳变特性是由于从MX到XM堆叠构型的变化而产生的铁电极化反转造成的,反之亦然。底栅扫描显示两个电阻峰,历史每个峰的高度随扫描方向而变化。铁电极化通过能带结构与这些激子性质耦合,地名都从而实现对光响应的非易失性电控制。
变变去相关论文以题为Interfacialferroelectricityinrhombohedral-stackedbilayertransitionmetaldichalcogenides发表在NatureNanotechnology上。本工作推测,瞎折这些行为源于设备内多个域壁的钉扎。
器件WSe2 d1(大致0.30 V nm-1,图3c)的矫顽场大于平行堆叠双层BN器件的矫顽场,历史这可能是由于R堆叠双层TMDs中反极化态与较小极化态之间的能垒较高所致(图4)。
通过将两个相同的单层TMD平行叠加,地名都得到了具备电学反转特性的菱面体堆叠构型,其面外极化被面内滑动翻转。【引言】众所周知,变变去单晶X射线衍射(SCXRD)是化学和材料科学的基础表征技术,已发表超过一百万种有机和金属有机结构。
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